正品BEHLKE高压固态开关

正品BEHLKE高压固态开关

高压开关，可变导通时间，低导通电阻，SiC和沟槽FET

●采用SILICON CARBIDE FET（SiC）或Trench FET技术，具有极低的导通电阻
●多功能高压开关，具有真正的继电器特性
●通过TTL信号实时控制
●低动态开关损耗和极低的导通损耗
●适用于工业电源应用
●有关过载和电压反转的稳健性
●优异的dv / dt抗HV瞬变免疫力

应用说明I：BEHLKE固态开关具有*的上升和下降时间。如果您的应用不需要完整的开关速度，我们建议您使用速度限制选项S-TT（上升和下降时间减慢约50％）与输入低通滤波器选项LP结合使用。速度限制选项有助于大限度地降低快速高压脉冲电路典型的高频困难（例如自振荡，自重新触发，振铃等），并简化EMC设计。

应用说明II：快速固态开关对于未夹紧的感性负载或过大的布线电感的反向电流相对敏感。反向电流可能以不确定的方式导通慢速本征（寄生）FET二极管，并可能导致灾难性的开关故障，特别是在关断阶段结合高关断电流。因此，当感性负载或高感应线路连接到开关时，建议将FET开关始终与快速续流二极管网络（快速串联阻断二极管+并联快速续流二极管）相结合。该保护二极管网络可以通过BEHLKE FDA系列的单个二极管安装在外部。它也可以作为选件I-FWDN集成到开关模块中。

产品代码：型号包含有关电压，电流和开启行为的编码信息。diyi个数字代表以kV为单位的电压，短划线前的后一个数字表示开启行为（0 =固定导通时间，1 =可变导通时间）。短划线后面的数字表示以安培x10为单位的电流。特殊功能在第二个破折号后由字母编码。示例HTS 61-15-SiC：HTS = HV晶体管开关，6 = 6 kV，1 =可变导通时间，120 = 1200安培，SiC =碳化硅（或B =低导通电阻沟槽FET）

碳化硅（SiC）开关采用LC2技术。 强大而瞬态的证明。 由于极低的导通电阻，导通损耗非常低，并且在许多情况下无需额外的冷却措施。 

Behlke  HTS 61-15-SiC
Behlke  HTS 61-30-SiC
Behlke  HTS 61-60-SiC
Behlke  HTS 61-120-SiC
Behlke  HTS 121-15-SiC
Behlke  HTS 121-30-SiC
Behlke  HTS 121-60-SiC
Behlke  HTS 121-120-SiC
 

正品BEHLKE高压固态开关